三星3nm芯片將於25日正式對外公佈。收到第一批的買家是中國虛擬貨幣礦工，鑑於當前的虛擬貨幣市場狀況，從長遠來看，這是一次高風險交易。三星3nm芯片將於25日正式對外公佈。
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據韓國媒體報導，三星計劃於下週一（25日）正式對外公佈其首款代工的3nm芯片，以及將供應大陸開發虛擬貨幣挖礦芯片的客戶，並提到“首批產品功耗與性能明顯提升”，希望以此來打消外界的疑慮。
7月22日消息，據韓國媒體報導，三星計劃於下週一（25日）正式對外公佈其首款代工的3nm芯片，以及將供應大陸開發虛擬貨幣挖礦芯片的客戶，並提到“首批產品功耗與性能明顯提升”，希望以此來打消外界的疑慮。
三星此前趕在上半年的最後一天（6月30日）宣佈3nm量產，雖然兌現了其上半年量產的承諾，卻引來各界質疑其良率、客戶來源等問題。
業界認爲，三星計劃下週一公佈更多信息，是希望藉此宣示自家3nm量產的實力，並通過公佈實際客戶，來回應外界的疑慮，以便更好的與臺積電競爭。
按照三星的規劃，其將於2023年將啓動第二代3nm製程，2025年進一步量產2nm，目標是儘快追上臺積電，在技術實力上保持領先。
臺積電向來不評論競爭對手。談到先進製程進展，臺積電總裁魏哲家日前在法說會提到，3nm如計劃進度執行中，預計今年下半年量產，還且有良好的良率表現，明年上半開始帶進營收貢獻，並逐漸提高，主要動能來自於手機與高性能計算（HPC）。
至於更新版的N3E製程，臺積電預計於第一代3nm製程量產後約一年左右量產。2nm製程方面，臺積電規劃2024年可進行風險性試產，並於2025年量產。相較之下，三星已於6月30日宣佈3nm量產，領先臺積電，腳步是晶圓代工界最快，但也引來外界各種質疑。
韓國媒體BusinessKorea爲三星抱不平，認爲日本與臺灣媒體都在貶低三星的成就，例如提到韓國半導體業仍高度仰賴日本的材料與設備，還有看衰三星3nm首家客戶是大陸虛擬貨幣挖礦芯片商，以當前虛擬貨幣市況來看，並不是可以長期信賴的客戶。同時，也認爲3nm製程芯片不是在三星設備最好的平澤廠生產，而是在華城，代表生產規模相對較小。
BusinessKorea點出，各界質疑三星無法威脅臺積電，因爲5nm製程的良率還沒拉起來。專家表示，韓國必須提高生產3nm製程的良率，但“想讓良率達到80％至90％的可獲利水準，似乎要很長的時間才辦得到”。
臺積電目前仍是全球晶圓代工霸主，根據研調機構集邦科技統計，今年首季臺積電全球晶圓代工營收市佔率爲53.6％，三星以16.3％居次，聯電排第三，格芯第四，大陸中芯國際排第五，其餘業者的市佔率都不到5％。
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週二，行業和政府消息人士表示，三星計劃於7月25日在京畿道華城的製造中心舉行3nm GAA芯片的首次出貨儀式。貿易，工業和能源部長Lee Chang-yang和三星設備解決方案部門總裁兼首席執行官Kyung Kye-hyun將出席儀式。收到第一批的買家是中國虛擬貨幣礦工，鑑於當前的虛擬貨幣市場狀況，從長遠來看，這是一次高風險交易。
此外，3納米芯片不是在平澤市生產的，而是在華城市生產的，這意味着生產規模相對較小，因爲三星電子最好的設備在平澤，而華城是開發製造技術的地方。
至於智能手機芯片組，三星可能會使用其3nm GAA技術大規模生產即將推出的Exynos 2300。芯片可能用於即將推出的Galaxy S23系列，並且可能是Google用於Pixel 8系列的第三代Tensor芯片的版本。除此之外，高通可能會加入進來，但前提是臺積電遇到良品率問題採用自己的3nm技術。
據報道，高通可以要求三星提供3nm GAA芯片樣品，並根據這家韓國巨頭在良率、功率效率和其他指標方面的.進步，下達訂單。根據不靠譜的謠言說法，即將推出的驍龍 8 Gen 2據說是11月15日揭幕，將完全採用臺積電的4nm工藝批量生產，除非奇蹟發生。
回顧一下，與5nm技術相比，三星的3nm GAA工藝據說可降低高達45%的功耗，將性能提高23%，面積減小16%。該製造商還將推出第二代版本，該版本將降低高達50%的功耗，將性能提高30%，並將面積減少35%。
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三星官方在上個月末宣佈，其位於韓國的華城工廠開始生產3nm芯片。這是目前半導體制造工藝中最先進的技術，三星也成爲了全球唯一一家提供採用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架構晶體管技術，提供3nm工藝代工服務的代工企業。
據Business Korea報道，三星計劃在2022年7月5日在華城工廠舉行3nm GAA芯片的首次發貨儀式，三星設備解決方案部分負責人慶桂顯和韓國工業貿易資源部長李昌陽都會出席。據瞭解，首個客戶是上海磐矽半導體，這批芯片將用於虛擬貨幣業務。
有消息指出，三星可能會使用3nm工藝製造Exynos 2300，或用於明年的Galaxy S23系列，不過前一段有報道稱，其表現不達預期，Galaxy S23系列可能全部採用高通的解決方案。此外，谷歌第三代Tensor芯片也可能採用三星3nm工藝，將用於Pixel 8系列。高通在即將發佈的Snapdragon 8 Gen2上選擇了臺積電的4nm工藝，如無意外並不會出現三星製造的版本。
三星表示，與原來採用FinFET的5nm工藝相比，初代3nm GAA製程節點在功耗、性能和麪積（PPA）方面有不同程度的改進，其面積減少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。
到了第二代3nm芯片，面積減少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。這也是三星首次實現GAA“多橋-通道場效應晶體管（MBCFET）”應用，打破了FinFET原有的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還通過增加驅動電流增強芯片性能。
